据悉，膜结构充电桩中的存储模块分为两部分：一部分是fm24clo4b，用于存储直流充电桩系统的一些重要参数；另一部分是大容量at45db161dtu，它将历史数据存储在充电交易记录中。
为了确保系统重要参数存储的牢靠性，防止出现数据的丢失或者误操作，在本系统的设计中，我们放弃了使用单片机内部的EEPROM，采用了优良的数据存储电路。充电点存储采用铁电存储器fm24clo4b，芯片通过HIC串行扩展总线与MCU进行数据通信，SCL提供时钟，SDA进行数据输送，采用全双工模式进行数据交换。芯片为非易失性铁电随机串行存储器，内部具有512字节大小的存储空间，读写次数达100亿次，掉电数据能保存10年，总线速度可以达到1MHz，而且写数据无延时。充电桩的工作电压为3.3V，工作电流为150uA，采用8脚的SOIC封装。

为了防止在膜结构充电桩系统运行或是在上电途中呈现对此芯片的误写入，系统对它运用了可控制的供电形式，即当MCU工作稳定且需要读写数据时才对芯片进行上电。为了存储充电交易，记录历史测量数据，系统选用大容量存储器AT45DB161DTU。该存储器使用了模拟SPI（串行了外设接口）进行了数据的读写。芯片AT45DB161DTU是采用串行接口进行数据交换的闪存，供电电压低，适合应用于数字，图像，软件程序等文件的存储。其内存空间分为8192页，每页可以存储512个字节大小的数据。AT45DB161DTU可支持快速的串行接口，能够执行速度较高的读写操作。此膜结构充电桩所用的快接口能兼容SPI数据交换的格式，较高的运作频率是为66Hz，运用了28脚的SOIC进行封装。
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